规格书 |
|
Rohs |
Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 |
800 |
FET 型
|
MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 |
Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) |
30V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C |
160A |
Rds(最大)@ ID,VGS |
3.9 mOhm @ 35A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id |
2.5V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS |
132nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 |
5200pF @ 15V |
功率 - 最大 |
160W |
安装类型
|
Surface Mount |
包/盒
|
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
供应商器件封装 |
TO-263AB |
包装材料
|
Tape & Reel (TR) |
包装 |
3D2PAK |
通道模式 |
Enhancement |
最大漏源电压 |
30 V |
最大连续漏极电流 |
23 A |
RDS -于 |
3.9@10V mOhm |
最大门源电压 |
±20 V |
典型导通延迟时间 |
10 ns |
典型上升时间 |
98 ns |
典型关闭延迟时间 |
75 ns |
典型下降时间 |
47 ns |
工作温度 |
-55 to 175 °C |
安装 |
Surface Mount |
标准包装 |
Cut Tape |
最大门源电压 |
±20 |
欧盟RoHS指令 |
Compliant |
最高工作温度 |
175 |
标准包装名称 |
D2PAK |
最低工作温度 |
-55 |
渠道类型 |
N |
封装 |
Tape and Reel |
最大漏源电阻 |
3.9@10V |
最大漏源电压 |
30 |
每个芯片的元件数 |
1 |
供应商封装形式 |
D2PAK |
最大功率耗散 |
160000 |
最大连续漏极电流 |
23 |
引脚数 |
3 |
铅形状 |
Gull-wing |
FET特点 |
Logic Level Gate |
安装类型 |
Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C |
23A |
的Vgs(th ) (最大)@ Id |
2.5V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) |
30V |
供应商设备封装 |
TO-263AB |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS |
3.9 mOhm @ 35A, 10V |
FET型 |
MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 |
160W |
输入电容(Ciss ) @ VDS |
5200pF @ 15V |
闸电荷(Qg ) @ VGS |
132nC @ 10V |
封装/外壳 |
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
RoHS指令 |
Lead free / RoHS Compliant |
其他名称 |
FDB8870FSCT |
工厂包装数量 |
800 |
晶体管极性 |
N-Channel |
连续漏极电流 |
160 A |
封装/外壳 |
TO-263 |
零件号别名 |
FDB8870_NL |
下降时间 |
47 ns |
产品种类 |
MOSFET |
单位重量 |
0.046296 oz |
配置 |
Single |
最高工作温度 |
+ 175 C |
RoHS |
RoHS Compliant By Exemption |
源极击穿电压 |
+/- 20 V |
系列 |
FDB8870 |
RDS(ON) |
3.9 mOhms |
安装风格 |
SMD/SMT |
功率耗散 |
160 W |
最低工作温度 |
- 55 C |
上升时间 |
98 ns |
漏源击穿电压 |
30 V |
漏极电流(最大值) |
23 A |
频率(最大) |
Not Required MHz |
栅源电压(最大值) |
�20 V |
输出功率(最大) |
Not Required W |
噪声系数 |
Not Required dB |
漏源导通电阻 |
0.0039 ohm |
工作温度范围 |
-55C to 175C |
包装类型 |
D2PAK |
极性 |
N |
类型 |
Power MOSFET |
元件数 |
1 |
工作温度分类 |
Military |
漏极效率 |
Not Required % |
漏源导通电压 |
30 V |
功率增益 |
Not Required dB |
弧度硬化 |
No |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage |
30 V |
宽度 |
9.65 mm |
Vgs - Gate-Source Voltage |
20 V |
品牌 |
Fairchild Semiconductor |
通道数 |
1 Channel |
商品名 |
PowerTrench |
晶体管类型 |
1 N-Channel |
Id - Continuous Drain Current |
160 A |
长度 |
10.67 mm |
Rds On - Drain-Source Resistance |
3.9 mOhms |
身高 |
4.83 mm |
Pd - Power Dissipation |
160 W |
技术 |
Si |